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磁控溅射二氧化硅靶材的过程中会有氧产生吗

[ 发布日期:2017-12-28 11:15:54 点击:981 【打印此文】 【关闭窗口】]

溅射靶材的温度取决于能量的高低,举例:-1气压,功率5KW,偏压0。靶材表面温度为200度左右,基片温度不会高于100~如果上升到10Kw,靶材表面温度会接近400度,基片会达到150度左右,我说的基片距离靶材有10厘米左右~ 此时热量为热辐射传热


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