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在般的磁控溅射过程中,溅射靶材的温度会达到多高?且溅射腔室内部,靠近基片传输的位置,温度会有多高?

[ 发布日期:2018-09-19 14:10:44 点击:1134 【打印此文】 【关闭窗口】]
溅射靶材的温度取决于能量的高低,举例:-1气压,功率5KW,偏压0。靶材表面温度为200度左右,基片温度不会高于100度~如果上升到10Kw,靶材表面温度会接近400度,基片会达到150度左右,我说的基片距离靶材有10厘米左右~
此时热量为热辐射传热,离靶材远的地方辐射相对小,温度就低点~

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