按照应用域不同,电子溅射靶材可以分为半导体靶材、平面靶材、镀膜玻璃靶材、太阳能光伏靶材等,不同应用域对金属材料的选择和性能要求存在定的差异,其中半导体集成电路用的溅射靶材技术要求,苛刻。
靶材的主要种类与用途览表
靶材种类 |
主要用途 |
主要品种 |
性能要求 |
半导体 |
制备集成电路核心材料 |
W、钨钛(Wti)、Ti、Ta、Al合金、Cu等,纯度在4N或5N以上 |
技术要求、超高纯度金属、高精度尺寸、高集成度 |
平面显示 |
溅射技术保证生产薄膜均匀性,提高生产率降低成本 |
铌靶、硅靶、Cr靶、钼靶、MoNb、Al靶、铝合金靶、铜靶、铜合金 |
技术要求高、高纯度材料、材料面积大、均匀性程度高 |
装饰 |
用于产品表面镀膜,起美化耐磨耐腐蚀的果 |
铬靶、钛靶、锆(Zr)、镍、钨、钛铝、CrSi、CrTi、CrAlZr、不锈钢靶 |
技术要求般,主要用于装饰、节能等 |
工具 |
工具、模具表面强化,提高寿命与被制造零件质量 |
TiAl靶、铬铝靶、Cr靶、Ti靶、TiN、TiC、Al203等 |
性能要求较高、使用寿命延长 |
太阳能光伏 |
溅射薄膜技术用于四代薄膜太阳能电池的制作 |
氧化锌铝靶、氧化锌靶、锌铝靶、钼靶、硫化镉(CdS)靶、铜铟镓硒等 |
技术要求高、应用范围大 |
电子器件 |
用于薄膜电阻、薄膜电容 |
NiCr靶、镍铬硅靶、铬硅靶、钽(Ta)靶、镍铬铝靶等 |
要求电子器件尺寸小、稳定性好、电阻温度系数小 |
信息存储 |
用于制作磁储存器 |
Cr基、钴(Co)基、钴铁基、Ni基等合金 |
高储存密度、高传输速度 |